二十一世纪以来，以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）、氧化锌（ZnO）、金刚石为四大代表的第三代半导体材料开始初露头角。第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的导热率、更高的抗辐射能力、更大的电子饱...